（中央社記者鄭鴻達台北30日電）國家實驗研究院今天頒發「研發服務平台亮點成果獎」，台北科技大學電子工程學系胡心卉研究團隊，製作出新穎異質通道垂直堆疊互補式電晶體（CFET），因具低漏電特性，技術可整合至低於1奈米的半導體製程，因此獲得特優獎。

國研院今天舉行「研發服務平台亮點成果獎」頒獎典禮，由國研院副院長林博文為獲獎團隊頒發獎牌，並表揚其研究成果與內容。

林博文表示，國研院主要使命，是推動全國科學技術發展，以「建構研發平台、支援學術研究、推動前瞻科技、培育科技人才」為四大任務，促成科學創新及技術突破。

林博文說，國研院旗下8個研究中心，不但建置國內大學或教師難以單獨購置的貴重軟硬體設施，更提供各種專業的研發服務平台，協助學研界研發前沿科學與技術。

今年的「研發服務平台亮點成果獎」特優獎，為北科大電子工程學系胡心卉整合陽明交通大學、成功大學研究團隊，使用半導體中心無塵室設備與研發平台，研究「異質氧化銦鎵鋅/矽互補式場效電晶體之積層型三維整合於靜態隨機存取記憶體與射頻之應用」，抱走獎金新台幣30萬元。

優等獎有兩支團隊，首先是中山大學物理學系特聘教授莊豐權所領研究團隊，使用國網中心的「台灣杉一號超級電腦」所進行的「研究先進二維材料拓墣性質與自學電子學之應用」研究。

第二支團隊，為陽明交通大學資訊工程學系教授彭文孝領銜的團隊，使用國網中心的「台灣杉二號AI超級電腦」，執行「基於生成模型的視訊壓縮」研究。

獲得佳作獎的兩支團隊，為成大電機工程學系特聘教授郭泰豪團隊，使用半導體中心「晶片設計與製程下線服務」，開發出「應用於下世代通訊之高效能資料轉換器」。

另一佳作獎團隊，為清華大學動力機械工程學系講座教授方維倫團隊，使用半導體中心「CMOS-MEMS電路設計與下線服務」，開發出「CMOS-MEMS 觸覺感測器」。

國研院說明，特優獎團隊製作出新穎的上下異質疊層異質通道垂直堆疊互補式電晶體（CFET），並將其應用於反相器與6T靜態隨機存取記憶體（SRAM）。

國研院表示，此技術可整合至低於1奈米製程，且因具有低漏電特性，可降低功耗，也展現了能將不同通道材料及多種功能元件，以一體化製程整合於同一基板上，完全實現未來對系統整合型面板（SoP）的需求。（編輯：林興盟）1110830